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X射線(xiàn)光電子能譜法XPS測(cè)試的特點(diǎn)及制樣要求

來(lái)源：時(shí)間：2022-08-24 16:42:34 瀏覽：7026次

X射線(xiàn)光電子能譜（XPS）是電子材料與元器件顯微分析下的一種表面分析方法，該方法常常和俄歇電子能譜技術(shù)（AES）配合使用，XPS的原理是用X射線(xiàn)去輻射樣品，使原子或分子的內(nèi)層電子或價(jià)電子受激發(fā)射出來(lái)，通過(guò)測(cè)量被光子激發(fā)出來(lái)的電子能量，以光電子的動(dòng)能/束縛能（binding energy，Eb=hv光能量-Ek動(dòng)能-w功函數(shù)）為橫坐標(biāo)，相對(duì)強(qiáng)度（脈沖/s）為縱坐標(biāo)而做出光電子能譜圖，最終獲得試樣有關(guān)信息。

XPS數(shù)據(jù)分析

一、X射線(xiàn)光電子能譜法的特點(diǎn)

1、可以分析除 H 和 He 以外的所有元素；可以直接測(cè)定來(lái)自樣品單個(gè)能級(jí)光電發(fā)射電子的能量分布，且直接得到電子能級(jí)結(jié)構(gòu)的信息。

2、從能量范圍看，如果把紅外光譜提供的信息稱(chēng)之為“分子指紋”，那么電子能譜提供的信息可稱(chēng)作“原子指紋”。它提供有關(guān)化學(xué)鍵方面的信息，即直接測(cè)量?jī)r(jià)層電子及內(nèi)層電子軌道能級(jí)。而相鄰元素的同種能級(jí)的譜線(xiàn)相隔較遠(yuǎn)，相互干擾少，元素定性的標(biāo)識(shí)性強(qiáng)。

3、是一種無(wú)損分析。

4、是一種高靈敏超微量表面分析技術(shù)。分析所需試樣極少量即可，樣品分析深度0.5-10nm 。

二、X 射線(xiàn)光電子能譜法的應(yīng)用:

1、元素定性分析

2、元素定量分折

3、固體表面分析

4、化合物結(jié)構(gòu)簽定

二、X射線(xiàn)光電子能譜法的制樣要求

1.預(yù)處理尺寸要求：塊狀/片狀/薄膜：長(zhǎng)寬厚不超出1 cm × 1 cm × 3 mm（磁性樣品盡量?。▽?duì)塊狀樣品或薄膜樣品的測(cè)試面做好標(biāo)記）；粉末樣品大于200目，不少于10mg，量少請(qǐng)用稱(chēng)量紙包好再裝到管子里寄送。請(qǐng)勿用手觸摸樣品表面，會(huì)引入污染。制好樣后請(qǐng)盡快密封，避免其他物質(zhì)污染；

2.送樣前樣品需充分干燥，否則影響儀器真空度。高分子樣品在送樣前應(yīng)進(jìn)行干燥處理。若含有高揮發(fā)性分子等請(qǐng)務(wù)必烘烤。

3.樣品含有硫或碘等鹵族元素請(qǐng)務(wù)必填寫(xiě)或者提前告知，避免污染高真空系統(tǒng)；

4.樣品在超高真空及在X射線(xiàn)、紫外線(xiàn)、電子束或Ar離子束照射下應(yīng)穩(wěn)定，不分解、不釋放氣體。

測(cè)試狗

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