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陰極熒光光譜（SEM-CL）

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項目介紹

CL譜的激發(fā)源是高能電子束,CL能調(diào)節(jié)入射電子的能量，可以使電子進入到樣品的不同深度，從而觀測到樣品表面以下的晶體缺陷信息。缺點是表面很容易被電子破壞。

一些不導電礦物樣品，在高能電子作用下，發(fā)射的可見光信號，叫做陰極熒光。它是由這些物質(zhì)的價電子，在受激態(tài)與基態(tài)之間能級躍遷直接釋放波長比較長、能量比較低的波，其能量在幾至幾十個電子狀，波長在可見光波長范圍內(nèi)。陰極熒光譜是利用電子束激發(fā)半導體樣品，將價帶電子激發(fā)到導帶，之后由于導帶能量高不穩(wěn)定，被激發(fā)電子又重新跳回價帶，并釋放出能量E≤Eg（能隙）的特征熒光譜。

陰極熒光譜取決于發(fā)光物質(zhì)(包括主體物質(zhì)和雜質(zhì))的價電子能級分布。因此，它可用來測定一些礦物的陰極熒光特點，是一種礦物鑒定方法。

樣品要求

1.塊體/薄膜樣品：表面需平整。樣品尺寸長寬小于1*1cm，高度小于1cm；

2.粉末樣品暫時只能做熒光拍照；

3.強磁性樣品無法進行測試。

4.不接收磁性、有毒、輻射及存在爆炸風險的樣品。

項目案例

陰極熒光光譜（SEM-CL）

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