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原子層沉積技術(shù)(ALD)

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原子層沉積技術(shù)(ALD)

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項目介紹

原子層沉積 ( ALD)是一種基于化學氣相沉積 (CVD) 的高精度薄膜沉積技術(shù)，是將物質(zhì)材料以單原子膜的形式基于化學氣相一層一層的沉積在襯底表面的技術(shù)。將兩種或更多種前體化學品分別包含被沉積材料的不同元素，一次一種地分別引入到襯底表面。每個前體使表面飽和，形成單層材料。

樣品要求

樣品尺寸：沉積面積為8英寸以下

項目案例
常見問題
1、什么是原子層沉積（ALD）？

原子層沉積 (Atomic Layer Deposition, ALD)是一種基于化學氣相沉積 (CVD) 的高精度薄膜沉積技術(shù)，是將物質(zhì)材料以單原子膜的形式基于化學氣相一層一層的沉積在襯底表面的技術(shù)。將兩種或更多種前體化學品分別包含被沉積材料的不同元素，一次一種地分別引入到襯底表面。每個前體使表面飽和，形成單層材料。

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原子層沉積技術(shù)(ALD)

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