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當(dāng)前位置：材料測(cè)試 ?  物性分析 ? 

微波光電導(dǎo)衰減壽命測(cè)試儀

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微波光電導(dǎo)衰減壽命測(cè)試儀

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項(xiàng)目介紹

mPCD用來(lái)測(cè)試硅片的有效少子壽命; cPCD用來(lái)測(cè)試樣品的體少子壽命。

微波光電導(dǎo)衰退法Microwave photoconductivity decay)測(cè)試少子壽命，主要包括激光注入產(chǎn)生電子-空穴對(duì)和微波探測(cè)信號(hào)的變化這兩個(gè)過(guò)程。

904mm 的激光注入(對(duì)于硅，注入深度大約為30um )產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，導(dǎo)致樣品電導(dǎo)率的增加，當(dāng)撤去外界光注入時(shí)，電導(dǎo)率隨時(shí)間指數(shù)衰減，

這一趨勢(shì)間接反映少數(shù)載流子的衰減趨勢(shì)，從而通過(guò)微波探測(cè)電導(dǎo)率隨時(shí)間變化的趨勢(shì)就可以得到少數(shù)載流子的壽命。



樣品要求

（1）mPCD所能測(cè)試的樣品，從 8英寸到一般切割的小樣品(1cm×1cm）都可以。一般機(jī)械拋光，化學(xué)拋光或研磨面的樣品都可以測(cè)試，但樣品必須是輕摻，重?fù)剑娮杪市∮?.1Ωcm）和重?fù)揭r底的外延片都不行。

（2）CPCD所能測(cè)試的樣品限于3，4，6，8英寸。一般硅片表面要形成自然氧化層或生長(zhǎng)一層帶電荷的薄膜。

項(xiàng)目案例
常見(jiàn)問(wèn)題
1、測(cè)試周期？

一般到樣3-5個(gè)工作日

微波光電導(dǎo)衰減壽命測(cè)試儀

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